拼了!花500亿研究存储芯片,力争年底研发成功

秋燕评股2018-12-05 14:08:37

一、国产存储器重要突破

7月16日,合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并计划将于2018年年底推出工程样品,这是国产DRAM产业的一个里程碑。

同时,从关键事件节点来看,兆易创新原董事长朱一明,宣布辞去兆易创新CEO,从原王宁国手上正式接任合肥长鑫存储及睿力CEO。

此人事变动似乎也宣告,合肥长鑫存储及睿力从王宁国核心团队为主导的建厂草创期,进入以设计研发量产为主导,迈入下一个阶段。

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从现有的国内存储器芯片生产企业来看,DRAM基地主要是合肥长鑫,合肥长鑫现在的合作方是兆易创新,2017年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场,与合肥市产业投资控股有限公司合作,目标是研发19纳米工艺的DRAM内存,预计在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于10%。这一时间节点值得重点关注,研究君也会保持跟踪。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元(495亿人民币),项目建设三期工程,目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂,建成后月产能为12.5万片晶圆,有媒体报道这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

根据计划,合肥长鑫将于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17纳米技术的研发。

二、存储芯片乃半导体咽喉

存储设备分为磁盘和存储芯片(Memory)。磁盘,是指利用磁能方式存储信息,存储过程中需要磁性盘片的机械运动,日常生活中非常常见的电脑硬盘、移动硬盘就属于此类;存储芯片(Memory)则是以半导体为材料的存储介质,我们平日常用的U 盘、PC内存、SSD(固态硬盘)等是Memory 的范围。

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在分类上,以断电后存储数据是否丢失为标准,存储芯片(Memory)可分2类:一类是非易失性存储器(Non-Volatile Memory),这一类Memory 断电后数据能够存储,主要以NAND Flash 为代表,常见于U 盘和SSD(固态硬盘);另一类是易失性存储器(VolatileMemory),这一类Memory 断电后数据不能储存,主要以DRAM 为代表, 常用于电脑、手机内存。

除了NAND Flash 和DRAM,Memory 还包含其他门类,例如Nor Flash、SRAM等。但从产值构成来分析,NAND Flash 和DRAM 是构成Memory 产业的核心构成,分别占据Memory 产值的37%和57%。

DRAM因为其应用的广泛性和重要性,是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据IHS Markit的数据,2017年全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元,较2016年的415亿美元增长了74%。更重要的一点的是,从2016年开始,DRAM的价格多次提高,2017年的价格涨幅更是高达40%。让一些终端厂商,尤其是国内的厂商叫苦不堪。


DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白!在2017年的DRAM市场,三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一,SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后。美光科技(22.9%)、南亚科技(2.2%)、华邦电子(0.8%)分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。

市场规模较小的NOR Flash,格局稍显分散,美光(占比25%)、Cypress(收购了飞梭半导体)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中,兆易创新(603986)目前国内稀缺,全球市占率在10%左右。

存储器芯片具有广阔的应用场景和重要的战略地位。随着各种应用程序的越来越复杂,各种新兴场景的不断落地应用,例如:人工智能、物联网、大数据、5G等,需要存储的数据也越来越庞大。

目前,信息数据已经不仅仅是数字,而是一种资产。DRAM需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国,对其需求有增无减。多方面的因素综合,迫使中国去打造自主可控的DRAM企业。

据统计,中国消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

国内存储芯片(Memory)的战略计划,第一步是自建大规模的NAND Flash产能,尤其是发力新型3D NAND闪存技术,第二步逐渐进军技术难度相对较大、垄断更为严重的DRAM市场。这次投片的合肥长鑫将扮演国产DRAM的重要角色


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