三星NAND存储器新厂施工顺遂 上半年将如期投产

全球半导体观察2019-02-10 11:48:23
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三星电子周二宣布,位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利,将如期于2017上半年投产。(韩联社)

三星新芯片厂于2015年动土,共投入15.6万亿韩元(144亿美元)建厂,为三星史上最大单一产线投资案。据三星表示,新厂第一阶段施工目前已完成九成。

新芯片厂主要用于生产高容量3D立体NAND快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘,并广泛应用于数码相机、智能手机与其它USB介面存储设备。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)日前指出,三星稳坐去年第四季NAND快闪存储器龙头,受惠于供给吃紧、平均报价(ASP)飙升,三星NAND快闪存储器当季报价增加5%、单位出货量季增11-15%,推升营收成长近两成(19.5%),市占率来到37.1%。

东芝同期间NAND存储器市占率达18.3%,暂居第二。Western Digital紧追在后,仅差东芝0.6个百分点。

来源:MoneyDJ新闻


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