观察 | 国内新巨头呼之欲出!大基金或投资120亿援助两大存储器厂商

技术贸易促进365联盟2018-11-08 15:03:40


存储产业风暴杀到!海外三大DRAM巨头——三星、SK海力士、美光涉嫌价格操纵案遭中国反垄断调查。目前,国内为了加速存储芯片自主化,国家集成产业电路基金(大基金)积极评估砸逾100亿人民币投资两大DRAM厂商福建晋华和合肥长鑫。加上长江存储,大基金对三大存储阵营布局正式完成,要用5 ~10年改变存储技术被国际大厂垄断的局面。



国际三大巨头遭调查


自2016年开始,全球DRAM内存价格持续高涨,无论PC市场还是智能手机市场都受到了严重冲击,三星、SK海力士、美光三大巨头借机掌握全球95%的市场份额。



这一波DRAM涨价潮始于2016年中,当时DRAM产业面临需求不振,合约价下跌将近20个月,各家DRAM大厂面临庞大的成本压力,因此开始调整产品比重,放缓转进高端制程的脚步,才让价格止跌回稳。但意外的是,这一波止跌回升的行情居然一走就是两年。


中国是全球最大的DRAM内存消费国,2017年进口了价值889.2亿美元的内存芯片,相比上年大涨近40%。全球前十大手机厂中,国内手机厂占了7个,但国内自有的DRAM存储芯片供给率几乎是零,100%依赖进口。过去两年,中国手机大厂面临芯片严重供给不足以及价格高涨的问题,出现强烈反弹,进而控告三家DRAM供应商有垄断市场和操纵价格之嫌。



因此,近期中国反垄断机构开始调查芯片价格操纵行为,陆续对三星、SK海力士、美光三家大厂展开调查。业界根据反垄断法推断,如果这次手机系统大厂发起的针对三巨头价格操作案的控诉成功,根据2017年度销售额进行1%~10%的罚款,三家的罚金可能高达4~40亿美元,如果把2016年度也纳入,罚款金额可能扩大至8~80亿美元。



国内两家大厂有望获超百亿投资


一味依靠海外大厂显然已经成为中国芯片相关产业发展的一大瓶颈,在中美贸易战的大背景下,中国加快了发展芯片产业的战略部署,同时加大投资力度。



据业界消息,日前大基金正积极评估投资福建晋华和合肥长鑫两大DRAM存储器厂商,投资额可能分别是60亿元人民币,以支持这两大存储阵营的芯片开发。此前,大基金已对长江存储投资超过100亿元。


福建晋华由福建省电子信息集团、泉州、晋江政府投资,一期投资金额为53亿美元,预计2018年底试产,单月产能规模为6万片,未来五年内的第二期规模是达到月产能12万片,12寸晶圆厂已于去年11月封顶。


不过最近有业内人士爆料,美光使出两大手法试图阻止晋华发展,一是设法阻止供应商对晋华输出生产设备,二是动用司法手段控告晋华和技术母厂联电侵权。据了解,部分设备供应商不愿意卖机台给晋华做技术开发,虽然表面上用的理由是基于共同技术开发的限制而拒绝销售设备,但实际来看,背后隐含了美光的“施压”。



合肥长鑫存储项目总投资534亿元,主要研发19纳米DRAM技术。项目一期已于2018年1月一厂厂房建设完成,300台设备已经开始安装调试;2018年底将启动生产8GB DDR4工程样品;2019年底实现单月产能2万片;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。合肥长鑫的目标,是打破国内自制率为零的DRAM市场,同时占有全球8%的DRAM市场份额,成为世界级的存储制造企业。


福建晋华“掩藏锋芒”


值得一提的是,合肥长鑫投入研发的第一代 DRAM 技术是19纳米世代的,而福建晋华开发的第一代技术是32纳米,第二代是32S纳米制程,从制程数字来看,晋华的技术开发似乎落后很多,但实则不然。


晋华的技术委由联电开发,受限于N-1规范,联电为晋华开发的技术必须落后于联电目前量产制程至少一个世代。也就是说,联电现在量产14纳米制程,但转移到大陆的技术必须是20纳米制程以上。



知情人士透露,福建晋华目前开发的32纳米技术,其实等同于三星、SK 海力士的2x纳米制程,若以每片晶圆的设计数量来看(先不看量产良率),更是相当于韩系大厂的1x纳米技术的实力,之所以低调取名“32X”纳米,是因为不想引起竞争对手的过分关注。


目前福建晋华、合肥长鑫进展加速,又将获得大基金的支援,正式列入国家重点培植的项目,加上紫光集团的长江存储3D NAND技术开发顺利,成功研发32层3D NAND芯片后,年底将进入64层技术展示,2019年有望实现量产,国内三大存储阵营已经成为打破空白存储产业的关键项目。


有分析指出,尽管国内三大存储新秀短期内不太可能撼动国际三巨头的地位,但打破“零自制率”却是可以期待的目标。




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