谁将成为中国存储器芯片市场的“明日之星”?

半导体芯片投资内参2019-01-20 12:16:35



智能手机、人工智能以及物联网等领域在全球信息化浪潮的推动下迎来高速发展契机。值此背景,其上游存储器芯片产业再遇爆发期。作为生产、消费大国的中国,自然地成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时,“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……


美日韩的垄断之势


随着全球半导体市场日益扩张,芯片市场愈发供不应求,尤其是存储器市场。据统计,2016全球存储器市场容量约800亿美元左右,约占半导体市场的23%,是仅次于逻辑电路的第二大产品。


市场上存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元,NAND Flash约346亿美元。


在DRAM方面,全球DRAM价格持续七个季度高涨,是历来涨势最久的一次,据业界人士预测,此涨势将持续至2018年第二季度;在NAND Flash方面,全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象,且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多,至此闪存市场供应得到缓解。



然而,伴随着供应短缺以及高增长,垄断之势也越发明显。数据调查显示,仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业,就几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。


紫光国际“搅局” 破势而出


为了打破美日韩企业的垄断之势,中国芯片企业并未放弃对半导体的研究。在全球存储器市场需求的不断驱动下,中国存储器市场的起色也很明显。而随着半导体制程技术的不断衍进,存储器芯片研发难度随之加大,加之3D NAND技术的出现,都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。



2016年,在三星电子、SK海力士、英特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3D NAND Flash的时候,国内存储器厂商才开始布局,错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作,投资建立“国产存储器基地”,建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房以供3D NAND Flash研发与生产。在这场全球3D NAND Flash市场之战中,紫光国际首先“举旗”,长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后,互相配合共同研发3D NAND Flash技术。


长江存储已于2017年11月中旬成功研发出32层3D NAND Flash芯片,预计将于2018年实现量产。目前,紫光国际与长江存储已经在研究64层3D NAND Flash技术,预计将于2019年实现量产。



机遇与挑战并存


弯道超车并不简单。从国内存储器厂商的发展情况来看,主要面临以下机遇:

1.全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势;

2.智能手机、人工智能以及物联网等科技的不断发展,导致存储器芯片的需求也随之增加;

3.全球存储器领先技术突破的趋势减缓,各项技术的不断成熟;

4.国家政策的不断出台,政企联合之势扩大。


伴随着机遇,国内存储器厂商所面临的挑战也不小,主要体现在以下三方面:

1.国内存储器技术人才匮乏,导致技术研发速度过慢;

2.原材料价格的不断上涨,导致投入过高;

3.存储器增长过快,产能过剩的风险随时将至。


总之,从国内存储器市场的趋势来看,紫光国际以及长江存储已成为“搅局者”,于国内存储器产业而言,将是一把利剑,也是打破美日韩垄断国内存储器市场的希望。可以预料的是,随着国内3D NAND Flash技术的不断突破与成熟,加之DRAM产量的不断提升,未来与五大存储器巨头的差距将越来越小。

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