《安富莱嵌入式周报》第64期:2018.07.16---2018.07.22

安富莱电子2018-11-09 06:14:30

说明:

谢谢大家的关注,继续为大家盘点本周的精彩内容。




1、基于STM32F4的开源伺服驱动器
(1)STMBL是一款开源伺服驱动器,专为CNC机床和机器人改造而设计。 它支持高达320V和2kW的工业交流和直流伺服。


(2)软硬件已经升级了好几个版本,所有资料齐全,地址:https://github.com/rene-dev/stmbl

演示1:实际效果顶呱呱,驱动Manutec Robot,上面放置一个直立的硬币和一只笔,调节各种位置纹丝不动。
演示2:驱动290V 20A的CNC
演示3:驱动博世的一款产品
驱动器效果:




2、Embedded Wizard V9.0.0发布,增加了不少新特性
下面将部分新增的特性做个介绍:
(1)增加矢量绘图支持

(2)方便的多个屏幕交互和展示

(3)方便的自定义控件效果,无需用户编程


(4)新特性的展示


3、Micrium相关消息
(1)uC/Probe V4.4.1发布,升级了一个小版本
(2)发布移植最新版uCOS-III V3.07.00的注意事项文档
  uCOS-III V3.07.00源码还没有发布,不出意外近期就可以在官网下载了。
(3)Micrium新一期博文,多任务启动后,xxx.S启动文件中浪费的栈空间回收利用。
    现在新版的uCOS-III和II在多任务启动后,就开始使用新的系统栈了,不像FreeRTOS和RTX还继续用的xxx.S启动文件里面的栈空间做系统栈。简单的说,知道栈地址,栈大小就可以重新回收利用。

    之所以使用新的系统栈,主要是方便统计系统栈的使用情况。
4、SEGGER与新唐进行合作,新唐的单片机使用emWin也将免费
新唐正式加入到SEGGER的授权列表:

5、Altia Design V12.1发布
    关于Altia的介绍可以看之前发布的帖子:一款性能残暴的Altia GUI,近30年的发展史,且具有汽车级HMI安全认证,嵌入式版本支持F429,附极炫视频演示



6、ST发布STM32F769支持亚马逊Alexa智能语音服务的简单入门视频

视频地址:
    采用的扩展包X-CUBE-AVS ,当前Amazon Alexa,Google Assistant ,苹果的Siri在智能语音市场的占据统治地位,其中尤以亚马逊Alexa最厉害。扩展包的框图如下:

7、工业4.0开源软件白皮书
    这个是由Eclipse整理的,大家可以点击帖子末尾阅读原文在论坛下载。


8、STM32H7 DISCO探索板终于有消息了,有望下半年某月上市
    先得感谢论坛网友告知,TouchGFX发消息将于今年12月4号采用H7探索板子做培训,估计上市时间快了。

9、英特尔50周年庆

视频:

公司内部投票产生的过去50年创新发明TOP 10:

10、一家专门致力于做多芯片封装技术的公司,类似SiP,制造更加简单,快捷和便宜
    先普及个小知识,现在个词叫PoP(package-on-package )或者SiP(systems-in-package),意思就是芯片的再封装或者集成更多系统外设,比如集成电压管理芯片,集成DDR等。
像Atmel的SAMA5D2集成DDR2:
又比如Octavo Systems的OSD3358,自带1GB的DDR3,集成了TI的AM335X



而我们这里要介绍的是ZiP(ZiP代表zGlue集成平台),由一家名为zGlue的创业公司设计,相比SiP制造更加简单,快捷和便宜,当前已经有了成功案例,是一款穿戴设备芯片,集成了传感器,电源管理,主控芯片等。



11、知识普及MRAM,FRAM和EERAM
(1)FRAM(铁电存储器):
    具有像EEPROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
    当前主要是TI和富士通在搞。富士通有并口,SPI接口和I2C接口的,下面是并行接口的选型。

(2)MRAM(磁阻式随机存取内存)

    MRAM是一种非易失性内存技术,从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为,这个技术速度接近SRAM,具有快闪存储器的非易失性,容量密度及使用寿命不输DRAM,平均能耗远低于DRAM,成为真正的通用型内存。目前由主要是Everspin公司生产。

    相比FRAM铁电,MRAM性能更加强劲,读写速度更快,可以做到35ns,支持无限次读写,超宽的耐温范围-40 - 150度,可实现超过20年的数据记录.
(3)EERAM
    这个是Microchip出的产品,属于EEPROM和SRAM结合的产物,看下面框图,SRAM的区域都有EEPROM的映射域,系统掉电的话,会自动将所有数据都存入EEPROM里面。
下面是Microchip做的Serial EERAM,Serial EEPROM,Serial Flash,Parallel Flash,Serial SRAM和Serial NVSRAM的全方面对比,做的比较专业。相对FRAM和MRAM,缺点是速度慢,优势是可以实现超过200年的数据记录。

Copyright © 古田计算器虚拟社区@2017