评论:大存储器产业制造,赚钱并非硬道理

来自IT的我2019-01-10 16:12:06

  以CPU、OS和数据库为核心的技术是民族IT产业挥之不去的“痛”,但三十年河东,三十年河西,随着产业形式变化,事情迎来了转机。


  不说操作系统开源和国产数据,在此应该重点关注一下CPU,核心技术是半导体制造。4月1日,英特尔最新发布了E5V4 处理器,其核心是采用14nm制程工艺技术。长久以来,光刻技术作为核心技术长期禁运。从材料、到工艺,国内长期处于落后状况,差距至少一代半。


  半导体是一个投资巨大的产业,在每一个技术节点,都需要花费大量的资金。以28nm为例,其研发经费大致9亿~12亿美元,14纳米的研发经费估计在13亿~15亿美元。制造方面,建厂费用也更为高昂,对于28nm而言,一个基本的35000片的晶圆工厂,就需要花费35亿美元。这种巨大的投入对每一个企业来说,都是一个极大的挑战。


  从历史的进程来看,130nm至少有20多个企业能够进入生产;但是到了65nm、55nm之后,拥有制造能力的厂商数量在快速减少。到了28nm,只有寥寥7~8家可以进入生产;到了14nm反而是代工企业为主进入研发生产。这就是实际情况。


  但是随着经济实力的增强,我们有实力和能力弥补曾经的缺憾,甚至有实力实现弯道超车。从中芯国际代工厂的发展,到紫光国际、武汉新芯,动辄千亿元的投入,中国追赶世界的脚步不断加快。这些投入可以取得预想中的结果吗?


  据报道,武汉新芯以3D NAND和DRAM生产为主,预计产能30万片/月,没有资料提及相关制程工艺的技术,但有可能具有20nm制程工艺的技术。


  从技术上来说,要实现大存储器产业,针对NAND而言,从16nm提升到14nm,同样的Wafer晶圆,产量可以增加17%。如16nm工艺,每片12英寸晶圆,大约可切割522颗128Gb NAND 闪存芯片,即便增加17%的产量,受售价的制约,还是难以有赢利的。


  如今,价格仍然是制约闪存替代磁盘的主要障碍,因此在市场需求的现实下,提升闪存售价变得不可行,闪存推广唯有不断降低成本/GB。3D NAND技术因此被寄予厚望。如今,三星、海力士、东芝、美光都在14nm~16nm,32层~48层的技术。与之相比,国内肯定会存在一定的差距。


  对于国产半导体而言,所谓“弯道超车”可以作为理想,但最好不要做为现实的追求。毕竟,我们还需要技术的消化和经验的积累,从良品率,到技术的提升,这是一个循序渐进的过程。实际上,东芝、三星也是通过抓住DRAM、NAND的机会,逐步实现赶超的。


  通过加大投入,通过人员的引入,技术的消化和吸收,中国会不断缩小差距。这就是巨额投入的意义。在这样的背景情况下,如果更多的强调投入产出,未免有些操之过急。所谓赚钱不一定是硬道理。没有投入就没有产出,但有了投入未必有产出,这就是中国半导体产业面临的风险。这些是必须承受的风险。


  大存储产业,以3D NAND为核心的制造,存储产业升级换代的新时代,为中国半导体制造带来前所未有的机会。希望抓住这次难得的机会。


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